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VISHAY
IRFD9120PBF
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IRFD9120PBF 参数：
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: HVMDIP-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1 A Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 18 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 1.3 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 配置: Single 高度: 3.37 mm 长度: 6.29 mm 系列: IRFD 晶体管类型: 1 P-Channel 宽度: 5 mm 商标: Vishay / Siliconix 正向跨导 - 值: 0.71 S 下降时间: 25 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 29 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 21 ns 典型接通延迟时间: 9.6 ns
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